Towards wafer-size graphene layers by atmospheric pressure graphitization of silicon carbide
Emtsev, Konstantin V., Bostwick, Aaron, Horn, Karsten, Jobst, Johannes, Kellogg, Gary L., Ley, Lothar, McChesney, Jessica L., Ohta, Taisuke, Reshanov, Sergey A., Röhrl, JonasТом:
8
Рік:
2009
Мова:
english
Сторінки:
5
DOI:
10.1038/nmat2382
Файл:
PDF, 3.41 MB
english, 2009
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
