Growth Mechanism and Chemical Structure of Amorphous Hydrogenated Silicon Carbide (a-SiC:H) Films Formed by Remote Hydrogen Microwave Plasma CVD From a Triethylsilane Precursor: Part 1
Aleksander M. Wrobel, Agnieszka Walkiewicz-Pietrzykowska, Marja Ahola, I. Juhani Vayrynen, Francisco J. Ferrer-Fernandez, Agustin R. Gonzalez-ElipeТом:
15
Рік:
2009
Мова:
english
Сторінки:
8
DOI:
10.1002/cvde.200806726
Файл:
PDF, 381 KB
english, 2009
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
