STM study of epitaxial Dy silicides on Si(111) and Si(001) using ultra-sharp tips prepared by ion bombardment
Kalka, T., Preinesberger, C., Vandré, , S., Dä, hne-Prietsch, M.Том:
66
Мова:
english
Сторінки:
3
DOI:
10.1007/s003390051300
Date:
March, 1998
Файл:
PDF, 310 KB
english, 1998