Properties of TiN films grown by atomic-layer chemical vapor deposition with a modified gaseous-pulse sequence
Hsyi-En Cheng, Wen-Jen LeeТом:
97
Рік:
2006
Мова:
english
Сторінки:
6
DOI:
10.1016/j.matchemphys.2005.08.017
Файл:
PDF, 546 KB
english, 2006