New optimized Dual-Material (DM) gate design to improve the submicron GaN-MESFETs reliability in subthreshold regime
N. Lakhdar, F. DjeffalТом:
52
Рік:
2012
Мова:
english
Сторінки:
1
DOI:
10.1016/j.microrel.2011.11.014
Файл:
PDF, 355 KB
english, 2012
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
