Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
1987 Vol. 19-20; Iss. part-P1
Properties of ion beam synthesized buried silicon nitride layers with rectangular nitrogen profiles
W. Skorupa, K. Wollschläger, U. Kreissig, R. Grötzschel, H. BartschТом:
19-20
Рік:
1987
Мова:
english
Сторінки:
5
DOI:
10.1016/s0168-583x(87)80058-7
Файл:
PDF, 679 KB
english, 1987
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
