Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
1987 Vol. 19-20; Iss. part-P1
Dechanneling caused by unidirectional contraction in boron implanted laser-annealed silicon
M. Vos, D.O. BoermaТом:
19-20
Рік:
1987
Мова:
english
Сторінки:
5
DOI:
10.1016/s0168-583x(87)80069-1
Файл:
PDF, 324 KB
english, 1987