Analysis and minimization of small-geometry effects on the current gain of self-aligned `etched-polysilicon' emitter bipolar transistors
Nouailhat, A., Giroult-Matlakowski, G., Marty, A., Degors, N., Bruni, M.-D., Chantre, A.Том:
39
Рік:
1992
Мова:
english
Сторінки:
6
DOI:
10.1109/16.137319
Файл:
PDF, 668 KB
english, 1992