Improved Output Power of InGaN-Based Ultraviolet LEDs Using a Heavily Si-Doped GaN Insertion Layer Technique
Ching-Hsueh Chiu, Chien-Chung Lin, Po-Min Tu, Shih-Cheng Huang, Chia-Cheng Tu, Jin-Chai Li, Zhen-Yu Li, Wu-Yih Uen, Hsiao-Wen Zan, Tien-Chang Lu, Hao-Chung Kuo, Shing-Chung Wang, Chun-Yen ChangТом:
48
Рік:
2012
Мова:
english
Сторінки:
7
DOI:
10.1109/jqe.2011.2170553
Файл:
PDF, 815 KB
english, 2012
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
