A 21 nm High Performance 64 Gb MLC NAND Flash Memory With 400 MB/s Asynchronous Toggle DDR Interface
Chulbum Kim, Jinho Ryu, Taesung Lee, Hyunggon Kim, Jaewoo Lim, Jaeyong Jeong, Seonghwan Seo, Hongsoo Jeon, Bokeun Kim, Inyoul Lee, Dooseop Lee, Pansuk Kwak, Seongsoon Cho, Yongsik Yim, Changhyun Cho,Том:
47
Рік:
2012
Мова:
english
Сторінки:
9
DOI:
10.1109/jssc.2012.2185341
Файл:
PDF, 2.65 MB
english, 2012
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
