Ni fully GermanoSilicide for gate electrode application in pMOSFETs with HfSiON gate dielectrics
Hong Yu Yu, Singanamalla, R., Simoen, E., Xiaoping Shi, Lauwers, A., Kittl, J.A., Van Elshocht, S., Kristin De Meyer, Absil, P., Jurczak, M., Biesemans, S.Том:
53
Рік:
2006
Мова:
english
Сторінки:
7
DOI:
10.1109/ted.2006.873883
Файл:
PDF, 340 KB
english, 2006
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
