Comparative Study of Noise Degradation Caused by Fowler–Nordheim Tunneling Stress in Silicon Nanowire Transistors and FinFETs
Chengqing Wei, Yong-Zhong Xiong, Xing Zhou, Singh, N., Xiao-Jun Yuan, Guo Qiang Lo, Lap Chan, Dim-Lee KwongТом:
57
Рік:
2010
Мова:
english
Сторінки:
6
DOI:
10.1109/ted.2010.2061853
Файл:
PDF, 600 KB
english, 2010
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
