InGaN light-emitting diodes with oblique sidewall facets formed by selective growth on SiO_2 patterned GaN film
Sheu, Jinn-Kong, Chang, Kuo-Hua, Tu, Shang-Ju, Lee, Ming-Lun, Yang, Chih-Ciao, Hsu, Che-Kang, Lai, Wei-ChihТом:
18
Рік:
2010
Мова:
english
Сторінки:
1
Журнал:
oe/18/S4/oe-18-S4-A562.pdf
DOI:
10.1364/OE.18.00A562
Файл:
PDF, 1.45 MB
english, 2010
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
