Vertical InAs Nanowire Wrap Gate Transistors with ft > 7 GHz and fmax > 20 GHz
Egard, M., Johansson, S., Johansson, A.-C., Persson, K.-M., Dey, A. W., Borg, B. M., Thelander, C., Wernersson, L.-E., Lind, E.Том:
10
Рік:
2010
Мова:
english
Сторінки:
4
DOI:
10.1021/nl903125m
Файл:
PDF, 1.18 MB
english, 2010
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
