Defect formation in electron-irradiated synthetic diamond annealed in the temperature range 820–1120 K
E.M Shishonok, V.B Shipilo, G.P Popelnuk, I.I Azarko, A.A Melnikov, A.R FilippТом:
34
Рік:
1998
Мова:
english
DOI:
10.1016/s0167-577x(97)00149-3
Файл:
PDF, 101 KB
english, 1998