The Influence of NH[sub 4]F on the Etch Rates of Undoped SiO[sub 2] in Buffered Oxide Etch
Proksche, HaraldТом:
139
Рік:
1992
Мова:
english
Журнал:
Journal of The Electrochemical Society
DOI:
10.1149/1.2069249
Файл:
PDF, 413 KB
english, 1992