Mid-infrared electroluminescence from a Ge/Ge0.922Sn0.078/Ge double heterostructure p-i-n diode on a Si substrate
Tseng, H. H., Wu, K. Y., Li, H., Mashanov, V., Cheng, H. H., Sun, G., Soref, R. A.Том:
102
Рік:
2013
Мова:
english
Журнал:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.4804675
Файл:
PDF, 1.01 MB
english, 2013