The Pinch-Off Behaviour and Charge Distribution in AlGaN–GaN–AlGaN–GaN Double Heterostructure Field Effect Transistors
M. Zervos, A. Kostopoulos, G. Constantinidis, M. Kayambaki, S. Mikroulis, N. Flytzanis, A. GeorgakilasТом:
188
Рік:
2001
Мова:
english
Сторінки:
4
DOI:
10.1002/1521-396x(200111)188:13.0.co;2-5
Файл:
PDF, 83 KB
english, 2001