Biased Bilayer Graphene: Semiconductor with a Gap Tunable by the Electric Field Effect
Castro, Eduardo V., Novoselov, K. S., Morozov, S. V., Peres, N. M. R., dos Santos, J. M. B. Lopes, Nilsson, Johan, Guinea, F., Geim, A. K., Neto, A. H. CastroТом:
99
Мова:
english
Журнал:
Physical Review Letters
DOI:
10.1103/PhysRevLett.99.216802
Date:
November, 2007
Файл:
PDF, 325 KB
english, 2007
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
