Crystal defects in InGaAlAs layers grown on InP substrates by molecular beam epitaxy
C. Bocchi, C. Ferrari, P. Franzosi, F. Genova, R. Gleichmann, B. Jenichen, C. Rigo, G. SalviatiТом:
106
Рік:
1990
Мова:
english
Сторінки:
8
DOI:
10.1016/0022-0248(90)90041-i
Файл:
PDF, 946 KB
english, 1990