Metalorganic vapor phase epitaxy of GaAs on Si using IIa-flouride buffer layers
A.N. Tiwari, A. Freundlich, B. Beaumont, S. Blunier, H. Zogg, S. Teodoropol, C. VèriéТом:
124
Рік:
1992
Мова:
english
Сторінки:
5
DOI:
10.1016/0022-0248(92)90518-n
Файл:
PDF, 462 KB
english, 1992