Correlation between structure and photoluminescence properties in InGaN epilayers with thicknesses below and above critical thickness
Dobrovolskas, D., Vaitkevičius, A., Mickevičius, J., Tuna, Ö., Giesen, C., Heuken, M., Tamulaitis, G.Том:
114
Рік:
2013
Мова:
english
Журнал:
Journal of Applied Physics
DOI:
10.1063/1.4827179
Файл:
PDF, 2.37 MB
english, 2013
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
