MOS capacitor holding time and diffusion length at DRAM refresh test temperature
Ammar Bouhdada, Jean OualidТом:
26
Рік:
1995
Мова:
english
Сторінки:
8
DOI:
10.1016/0026-2692(95)98942-k
Файл:
PDF, 558 KB
english, 1995