Investigation of the relaxation of excess carriers in SiGe-heterostructures by photothermal measurement
H.D. Geiler, S. Krügel, J. Nützel, E. Friess, G. AbstreiterТом:
63
Рік:
1993
Мова:
english
Сторінки:
6
DOI:
10.1016/0169-4332(93)90102-h
Файл:
PDF, 322 KB
english, 1993
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
