A new approach to free-standing GaN using β-Ga2O3 as a...

CrystEngComm 2012 Vol. 14; Iss. 24

A new approach to free-standing GaN using β-Ga2O3 as a substrate

Kachel, Krzysztof, Korytov, Maxim, Gogova, Daniela, Galazka, Zbigniew, Albrecht, Martin, Zwierz, Radoslaw, Siche, Dietmar, Golka, Sebastian, Kwasniewski, Albert, Schmidbauer, Martin, Fornari, Roberto
Наскільки Вам сподобалась ця книга?
Яка якість завантаженого файлу?
Скачайте книгу, щоб оцінити її якість
Яка якість скачаних файлів?
Том:
14
Рік:
2012
Мова:
english
Журнал:
CrystEngComm
DOI:
10.1039/c2ce25976a
Файл:
PDF, 668 KB
english, 2012
Виконується конвертація в
Конвертація в не вдалась