Effective mobility in FinFET structures with HfO2 and SiON gate dielectrics and TaN gate electrode
T. Rudenko, N. Collaert, S. De Gendt, V. Kilchytska, M. Jurczak, D. FlandreТом:
80
Рік:
2005
Мова:
english
Сторінки:
4
DOI:
10.1016/j.mee.2005.04.026
Файл:
PDF, 156 KB
english, 2005