[IEEE IEEE International Electron Devices Meeting - San Francisco, CA, USA (8-11 Dec. 2002)] Digest. International Electron Devices Meeting, - Extreme scaling with ultra-thin Si channel MOSFETs
Doris, B., Meikei Ieong,, Kanarsky, T., Ying Zhang,, Roy, R.A., Dokumaci, O., Zhibin Ren,, Fen-Fen Jamin,, Leathen Shi,, Natzle, W., Hsiang-Jen Huang,, Mezzapelle, J., Mocuta, A., Womack, S., GrРік:
2002
Мова:
english
DOI:
10.1109/iedm.2002.1175829
Файл:
PDF, 274 KB
english, 2002
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
