Indirect fitting procedure to separate the effects of mobility degradation and source-and-drain resistance in MOSFET parameter extraction

Напротязі 1-5 хвилин файл буде доставлено на ваш Telegram акаунт.

Увага: переконайтесь, що ви прив'язали свій акаунт до Z-Library Telegram боту.

Напртязі 1-5 хвилин файл буде доставлений на ваш Kindle пристрій.

Примітки: вам необхідно верифікувати кожну книгу, яку Ви надсилаєте на Kindle. Перевірте Вашу електронну скриньку на наявність листів з підтвердженням від Amazon Kindle Support.