Experimental and simulated dc degradation of GaN HEMTs by means of gate-drain and gate-source reverse bias stress
Valerio Di Lecce, Michele Esposto, Matteo Bonaiuti, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni, Fausto Fantini, Alessandro ChiniТом:
50
Рік:
2010
Мова:
english
Сторінки:
5
DOI:
10.1016/j.microrel.2010.07.126
Файл:
PDF, 1.25 MB
english, 2010
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
