[IEEE 2014 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - MTT 2014 - Tampa, FL, USA (2014.6.1-2014.6.6)] 2014 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS2014) - 12W/mm with 0.15µm InAlN/GaN HEMTs on SiC technology for K and Ka-Bands applications
Piotrowicz, S., Jardel, O., Chartier, E., Aubry, R., Baczkowski, L., Casbon, M., Dua, C., Escotte, L., Gamarra, P., Jacquet, J.C., Michel, N., Nsele, S.D., Oualli, M., Patard, O., Potier, C., Di-ForteРік:
2014
Мова:
english
DOI:
10.1109/mwsym.2014.6848347
Файл:
PDF, 769 KB
english, 2014
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
