Interaction between point defects, extended defects and impurities in the Si–SiO2 system during the process of its formation
D. Kropman, T. Kärner, U. Abru, Ü. Ugaste, E. Mellikov, M. KaukТом:
114-115
Рік:
2004
Мова:
english
Сторінки:
4
DOI:
10.1016/j.mseb.2004.07.045
Файл:
PDF, 174 KB
english, 2004
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
