Ti–Ni ohmic contacts on 3C–SiC doped by nitrogen or phosphorus implantation
A.E. Bazin, J.F. Michaud, C. Autret-Lambert, F. Cayrel, T. Chassagne, M. Portail, M. Zielinski, E. Collard, D. AlquierТом:
171
Рік:
2010
Мова:
english
Сторінки:
7
DOI:
10.1016/j.mseb.2010.03.084
Файл:
PDF, 1.19 MB
english, 2010