[IEEE 2007 International Semiconductor Device Research Symposium - College Park, MD, USA (2007.12.12-2007.12.14)] 2007 International Semiconductor Device Research Symposium - A new impact ionization current model applicable to both bulk and SOI MOSFETs by considering self-lattice-heating

Напротязі 1-5 хвилин файл буде доставлено на ваш Telegram акаунт.

Увага: переконайтесь, що ви прив'язали свій акаунт до Z-Library Telegram боту.

Напртязі 1-5 хвилин файл буде доставлений на ваш Kindle пристрій.

Примітки: вам необхідно верифікувати кожну книгу, яку Ви надсилаєте на Kindle. Перевірте Вашу електронну скриньку на наявність листів з підтвердженням від Amazon Kindle Support.