A Study of compressively strained Si[sub 0.5]Ge[sub 0.5]...

A Study of compressively strained Si[sub 0.5]Ge[sub 0.5] metal-oxide-semiconductor capacitors with chemical vapor deposition HfAlO as gate dielectric

Huang, Jidong, Fu, Jia, Zhu, Chunxiang, Tay, Andrew A. O., Cheng, Zhi-Yuan, Leitz, Chris W., Lochtefeld, Anthony

Наскільки Вам сподобалась ця книга?

Яка якість завантаженого файлу?

Скачайте книгу, щоб оцінити її якість

Яка якість скачаних файлів?

Том:

Рік:

2007

Мова:

english

Журнал:

Applied Physics Letters

DOI:

10.1063/1.2431464

Файл:

PDF, 615 KB

english, 2007

Виконується конвертація в

Конвертація в не вдалась