Uniform-Base InP/GaInAsSb DHBTs Exhibiting $f_{\rm MAX}/f_{\rm T}>635/420~{\rm GHz}$
Fluckiger, Ralf, Lovblom, Rickard, Alexandrova, Maria, Ostinelli, Olivier, Bolognesi, C. R.Том:
35
Мова:
english
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
DOI:
10.1109/led.2013.2295424
Date:
February, 2014
Файл:
PDF, 693 KB
english, 2014
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
