[IEEE International Electron Devices Meeting. IEDM...

[IEEE International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest - Washington, DC, USA (7-10 Dec. 1997)] International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest - Effects of gate depletion and boron penetration on matching of deep submicron CMOS transistors

Tuinhout, H.P., Montree, A.H., Schmitz, J., Stolk, P.A.

Наскільки Вам сподобалась ця книга?

Яка якість завантаженого файлу?

Скачайте книгу, щоб оцінити її якість

Яка якість скачаних файлів?

Рік:

1997

Мова:

english

DOI:

10.1109/iedm.1997.650463

Файл:

PDF, 398 KB

english, 1997

Виконується конвертація в

Конвертація в не вдалась