Directional growth of Ge on GaAs at 175 °C using plasma-generated nanocrystals
Johnson, Erik V., Patriarche, Gilles, Roca i Cabarrocas, PereТом:
92
Рік:
2008
Мова:
english
Журнал:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.2895636
Файл:
PDF, 965 KB
english, 2008
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
