Point defects in Si thin films grown by molecular beam epitaxy
Gossmann, H.-J., Asoka-Kumar, P., Leung, T. C., Nielsen, B., Lynn, K. G., Unterwald, F. C., Feldman, L. C.Том:
61
Рік:
1992
Мова:
english
Журнал:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.107881
Файл:
PDF, 676 KB
english, 1992