Raman-scattering depth profile of the structure of ion-implanted GaAs
Holtz, M., Zallen, R., Brafman, O., Matteson, S.Том:
37
Мова:
english
Журнал:
Physical Review B
DOI:
10.1103/PhysRevB.37.4609
Date:
March, 1988
Файл:
PDF, 1.07 MB
english, 1988
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
