Strain relaxation of GaAs layers grown on heavily In-doped substrates by organometallic vapor phase epitaxy
Fuke, Shunro, Mori, Katsumi, Kuwahara, Kazuhiro, Imai, TetsujiТом:
68
Рік:
1990
Мова:
english
Журнал:
Journal of Applied Physics
DOI:
10.1063/1.346737
Файл:
PDF, 721 KB
english, 1990