Morphology of GaAs homoepitaxial layer grown on (111) A substrate planes by organometallic vapor phase deposition
Fuek, Shunro, Umemura, Masasi, Yamada, Naoshi, Kuwahara, Kazuhiro, Imai, TetsujiТом:
68
Рік:
1990
Мова:
english
Журнал:
Journal of Applied Physics
DOI:
10.1063/1.347076
Файл:
PDF, 700 KB
english, 1990