[IEEE International Electron Devices Meeting 1998....

[IEEE International Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest - San Francisco, CA, USA (6-9 Dec. 1998)] International Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest (Cat. No.98CH36217) - Channel profile engineering of 0.1 μm-Si MOSFETs by through-the-gate implantation

Ponomarev, Y.V., Stolk, P.A., van Brandenburg, A.C.M.C., Roes, R., Montree, A.H., Schmitz, J., Woerlee, P.H.

Наскільки Вам сподобалась ця книга?

Яка якість завантаженого файлу?

Скачайте книгу, щоб оцінити її якість

Яка якість скачаних файлів?

Рік:

1998

Мова:

english

DOI:

10.1109/iedm.1998.746438

Файл:

PDF, 356 KB

english, 1998

Виконується конвертація в

Конвертація в не вдалась