Pd overlayer growth on InP(110), GaAs(110), and InSb(110): Comparisons of anion surface segregation
Vitomirov, I. M., Aldao, C. M., Lin, Zhangda, Gao, Y., Trafas, B. M., Weaver, J. H.Том:
38
Мова:
english
Журнал:
Physical Review B
DOI:
10.1103/PhysRevB.38.10776
Date:
November, 1988
Файл:
PDF, 619 KB
english, 1988