Excess low-frequency noise in AlGaN/GaN-based high-electron-mobility transistors
Vitusevich, S. A., Danylyuk, S. V., Klein, N., Petrychuk, M. V., Sokolov, V. N., Kochelap, V. A., Belyaev, A. E., Tilak, V., Smart, J., Vertiatchikh, A., Eastman, L. F.Том:
80
Рік:
2002
Мова:
english
Журнал:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.1463202
Файл:
PDF, 242 KB
english, 2002
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
