Thermal stress-induced, high-strain fragmentation of buried SiGe layers grown on Si
Fatemi, M., Thompson, P. E., Twigg, M. E.Том:
67
Рік:
1995
Мова:
english
Журнал:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.114290
Файл:
PDF, 360 KB
english, 1995