Effects of nitridation in gate oxides grown on 4H-SiC
Jamet, Philippe, Dimitrijev, Sima, Tanner, PhilipТом:
90
Рік:
2001
Мова:
english
Журнал:
Journal of Applied Physics
DOI:
10.1063/1.1412579
Файл:
PDF, 323 KB
english, 2001