Technique for producing highly planar Si/SiO[sub 0.64]Ge[sub 0.36]/Si metal–oxide–semiconductor field effect transistor channels
Grasby, T. J., Parry, C. P., Phillips, P. J., McGregor, B. M., Morris,, R. J. H., Braithwaite, G., Whall, T. E., Parker, E. H. C., Hammond, R., Knights, A. P., Coleman, P. G.Том:
74
Рік:
1999
Мова:
english
Журнал:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.123689
Файл:
PDF, 387 KB
english, 1999
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
