[IEEE 2008 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2008.12.15-2008.12.17)] 2008 IEEE International Electron Devices Meeting - High performance Hi-K + metal gate strain enhanced transistors on (110) silicon
Packan, P., Cea, S., Deshpande, H., Ghani, T., Giles, M., Golonzka, O., Hattendorf, M., Kotlyar, R., Kuhn, K., Murthy, A., Ranade, P., Shifren, L., Weber, C., Zawadzki, K.Рік:
2008
Мова:
english
DOI:
10.1109/iedm.2008.4796614
Файл:
PDF, 207 KB
english, 2008
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
