The influence of substrate surface preparation on LP MOVPE GaN epitaxy on differently oriented 4H-SiC substrates
Piotr Caban, Kinga Kosciewicz, Wlodek Strupinski, Marek Wojcik, Jaroslaw Gaca, Jan Szmidt, Mustafa Ozturk, Ekmel OzbayТом:
310
Рік:
2008
Мова:
english
Сторінки:
4
DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2008.08.008
Файл:
PDF, 599 KB
english, 2008
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
