Growth of high-quality InGaN/GaN LED structures on (1 1 1) Si substrates with internal quantum efficiency exceeding 50%
JaeWon Lee, Youngjo Tak, Jun-Youn Kim, Hyun-Gi Hong, Suhee Chae, Bokki Min, Hyungsu Jeong, Jinwoo Yoo, Jong-Ryeol Kim, Youngsoo ParkТом:
315
Рік:
2011
Мова:
english
Сторінки:
4
DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2010.08.006
Файл:
PDF, 449 KB
english, 2011
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
